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CSD16321Q5规格书详情
描述 Description
This 25-V, 1.9-mΩ, 5-mm × 6-mm SON NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion and optimized for 5-V gate drive applications.
特性 Features
• Optimized for 5-V Gate Drive
• Ultra-Low Qg and Qgd
• Low-Thermal Resistance
• Avalanche Rated
• Lead-Free Terminal Plating
• RoHS Compliant
• SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
技术参数
- 制造商编号
：CSD16321Q5
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：2.6
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：200
- QG typ (nC)
：14
- QGD typ (nC)
：2.5
- Package (mm)
：SON5x6
- VGS (V)
：10
- VGSTH typ (V)
：1.1
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：177
- ID - package limited (A)
：100
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
24+ |
SON8 |
20000 |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
24+ |
VSON-CLIP-8 |
9600 |
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TI/德州仪器 |
24+ |
SON8 |
3 |
十年芯程一路原装 |
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TI/德州仪器 |
24+ |
VSON8 |
47186 |
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TI/德州仪器 |
2407+ |
SON-8 |
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TI原装 |
23+ |
SON8 |
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询价 | ||
TI |
2024+ |
N/A |
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TI |
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TDFN8 |
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TI/德州仪器 |
24+ |
SON8 |
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TI |
2025+ |
VSON-8 |
5185 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 |
