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CSD17570Q5B	文件：740 Kbytes Page：12 Pages	CSD17570Q5B 30 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Resistance • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • ORing and Hot Swap Applications 3 Description This 30 V, 0.56 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power M 文件：740 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17570Q5B	文件：647.53 Kbytes Page：13 Pages	30 V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：647.53 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17570Q5B.B	文件：740 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD17570；Package：VSON-CLIP；CSD17570Q5B 30 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Resistance • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • ORing and Hot Swap Applications 3 Description This 30 V, 0.56 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power M 文件：740 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17570Q5BG4.B	文件：740 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD17570；Package：VSON-CLIP；CSD17570Q5B 30 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Resistance • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • ORing and Hot Swap Applications 3 Description This 30 V, 0.56 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power M 文件：740 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17570Q5BT	文件：740 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD17570；Package：VSON-CLIP；CSD17570Q5B 30 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Resistance • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • ORing and Hot Swap Applications 3 Description This 30 V, 0.56 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power M 文件：740 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17570Q5BT.B	文件：740 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD17570；Package：VSON-CLIP；CSD17570Q5B 30 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Resistance • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • ORing and Hot Swap Applications 3 Description This 30 V, 0.56 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power M 文件：740 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17570Q5B_15	文件：1.15661 Mbytes Page：15 Pages	CSD17570Q5B 30 V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：1.15661 Mbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17570Q5B_16	文件：647.53 Kbytes Page：13 Pages	30 V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：647.53 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17570Q5BT	文件：647.53 Kbytes Page：13 Pages	30 V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：647.53 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17570Q5B	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.92mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 30V，0.56mΩ，SON 5mm × 6mmNexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地减小 ORing 和热拔插应用的电阻，不可用于开关应用。 • 超低电阻\n• 低热阻\n• 雪崩级\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
0.92
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
0.69
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
400
QG typ (nC)：
93
QGD typ (nC)：
34
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
1.5
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
407
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	CSD17570Q5B	TI/德州仪器	25+	QFN	32360	TI/德州仪器全新特价CSD17570Q5B即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市毅创辉电子科技有限公司	CSD17570Q5B	TI	23+	(DNK)-8	30000	全新原装正品	询价
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更多CSD17570Q5B供应商更新时间2025-10-5 14:14:00

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