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CSD13383F4	文件：935.46 Kbytes Page：13 Pages	CSD13383F4 12 V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on-resistance • Ultra low Qg and Qgd • Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm • Low profile – 0.36 mm height • Integrated ESD protection diode – Rated >2 kV HBM – Rated >2 kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimized f 文件：935.46 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13383F4	文件：764.53 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel FemtoFET MOSFET 文件：764.53 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13383F4	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、44mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 此 37mΩ 12V N 沟道 FemtoFET™MOSFET 技术经过了设计和优化，能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小 60% 以上。 • 低导通电阻\n• 超低 Qg和 Qgd\n• 超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸） \n• 1.0mm × 0.6mm\n \n• 低高度 \n• 高度 0.35mm\n \n• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管 \n• 额定值 > 2kV 人体放电模型 (HBM) \n• 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)\n \n• 无铅且无卤素\n• 符合 RoHS 标准;	TI 德州仪器	TI
CSD13383F4.B	文件：935.46 Kbytes Page：13 Pages	CSD13383F4 12 V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on-resistance • Ultra low Qg and Qgd • Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm • Low profile – 0.36 mm height • Integrated ESD protection diode – Rated >2 kV HBM – Rated >2 kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimized f 文件：935.46 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13383F4T	文件：935.46 Kbytes Page：13 Pages	CSD13383F4 12 V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on-resistance • Ultra low Qg and Qgd • Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm • Low profile – 0.36 mm height • Integrated ESD protection diode – Rated >2 kV HBM – Rated >2 kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimized f 文件：935.46 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13383F4T.B	文件：935.46 Kbytes Page：13 Pages	CSD13383F4 12 V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on-resistance • Ultra low Qg and Qgd • Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm • Low profile – 0.36 mm height • Integrated ESD protection diode – Rated >2 kV HBM – Rated >2 kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimized f 文件：935.46 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13383F4_15	文件：1.27293 Mbytes Page：15 Pages	CSD13383F4 12 V N-Channel FemtoFET MOSFET 文件：1.27293 Mbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13383F4T	文件：764.53 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel FemtoFET MOSFET 文件：764.53 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
44
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
27
QG typ (nC)：
2
QGD typ (nC)：
0.6
Package (mm)：
LGA 1.0x0.6mm
VGS (V)：
10
VGSTH typ (V)：
1
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
2.9
ID - package limited (A)：
2.9
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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