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CSD13383F4中文资料采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、44mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD13383F4规格书详情
描述 Description
此 37mΩ 12V N 沟道 FemtoFET™MOSFET 技术经过了设计和优化，能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小 60% 以上。
特性 Features
• 低导通电阻
• 超低 Qg和 Qgd
• 超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸）
• 1.0mm × 0.6mm
• 低高度
• 高度 0.35mm
• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
• 额定值 > 2kV 人体放电模型 (HBM)
• 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 标准
技术参数
- 制造商编号
：CSD13383F4
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：44
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：27
- QG typ (nC)
：2
- QGD typ (nC)
：0.6
- Package (mm)
：LGA 1.0x0.6mm
- VGS (V)
：10
- VGSTH typ (V)
：1
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：2.9
- ID - package limited (A)
：2.9
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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