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CSD13383F4规格书详情
描述 Description
此 37mΩ 12V N 沟道 FemtoFET™MOSFET 技术经过了设计和优化，能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小 60% 以上。
特性 Features
• 低导通电阻
• 超低 Qg和 Qgd
• 超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸）
• 1.0mm × 0.6mm
• 低高度
• 高度 0.35mm
• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
• 额定值 > 2kV 人体放电模型 (HBM)
• 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 标准
技术参数
- 制造商编号
：CSD13383F4
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：44
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：27
- QG typ (nC)
：2
- QGD typ (nC)
：0.6
- Package (mm)
：LGA 1.0x0.6mm
- VGS (V)
：10
- VGSTH typ (V)
：1
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：2.9
- ID - package limited (A)
：2.9
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
21+ |
SOT23-5 |
7200 |
只做原装支持终端 |
询价 | ||
TI |
25+ |
(YJC) |
6000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
TI |
24+ |
PICOSTAR|3 |
798400 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
TI |
23+ |
SOT23-5 |
28000 |
原装正品 |
询价 | ||
SXSEMI |
24+ |
DFN1006-3 |
900000 |
原装进口特价 |
询价 | ||
TI |
25+23+ |
SOT23-5 |
27233 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
23+ |
PICOSTAR3 |
9990 |
只有原装 |
询价 | ||
22+ |
5000 |
询价 | |||||
TI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
TI/德州仪器 |
24+ |
SOT23-5 |
42916 |
只做原装进口现货 |
询价 |
