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CSD13380F3中文资料采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD13380F3规格书详情
描述 Description
这款 63mΩ、12V N 沟道 FemtoFETMOSFET 经过了设计和优化，能够最大限度减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的同时大幅减小封装尺寸。 . . RθJA = 90°C/W，这是一块厚度为 0.06 英寸 (1.52mm) 的环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 (6.45cm2)，2 盎司 （厚度 0.071mm）铜焊盘上测得的典型值（覆铜面积最大时的典型值）。RθJA = 255°C/W（覆铜面积最小时的典型值）。脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
特性 Features
• 低导通电阻
• 高运行漏极电流
• 0.73mm x 0.64mm
• 薄型
• 集成静电放电 (ESD) 保护二极管
• 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准
应用 Application
针对负载开关应用进行了优化
针对通用开关应用进行了优化
电池应用
手持式和移动类应用
技术参数
- 制造商编号
：CSD13380F3
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：76
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：13.5
- QG typ (nC)
：0.91
- QGD typ (nC)
：0.15
- Package (mm)
：LGA 0.7x0.6mm
- VGS (V)
：8
- VGSTH typ (V)
：0.85
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：3.6
- ID - package limited (A)
：3.6
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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