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CSD13303W1015规格书详情
描述 Description
此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的接通电阻和栅极电荷。 顶视图 在 1 in2 2 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060\" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，RθJA = 75.7°C/W （典型值）。脉宽 ≤ 1ms，占空比 ≤ 2% 。
特性 Features
• 超低接通电阻
• 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
• 小封装尺寸
• 低高度（高度为 0.62mm）
• 无铅
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 芯片级封装 (CSP) 1 x 1.5mm 晶圆级封装
技术参数
- 制造商编号
：CSD13303W1015
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：20
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：31
- QG typ (nC)
：3.9
- QGD typ (nC)
：0.4
- Package (mm)
：WLP 1.0x1.5
- VGS (V)
：8
- VGSTH typ (V)
：0.85
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：3.5
- ID - package limited (A)
：3.5
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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