丝印：13303；Package：DSBGA；N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1FEATURES • Ultra Low on Resistance • Ultra Low Qg and Qgd • Small Footprint • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free • CSP 1 × 1.5 mm Wafer Level Package APPLICATIONS • Battery Management • Load Switch • Battery Protection DESCRIPTION The device has

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N-Channel NexFET??Power MOSFET

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采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、20mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的接通电阻和栅极电荷。 顶视图 在 1 in2 2 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060\" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，RθJA = 75.7°C/W （典型值）。脉宽 ≤ 1ms，占空比 ≤ 2% 。 • 超低接通电阻 \n• 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)\n• 小封装尺寸\n• 低高度（高度为 0.62mm）\n• 无铅\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• 芯片级封装 (CSP) 1 x 1.5mm 晶圆级封装;

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丝印：13303；Package：DSBGA；N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1FEATURES • Ultra Low on Resistance • Ultra Low Qg and Qgd • Small Footprint • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free • CSP 1 × 1.5 mm Wafer Level Package APPLICATIONS • Battery Management • Load Switch • Battery Protection DESCRIPTION The device has

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