12-V N-Channel FemtoFET MOSFET

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采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款 63mΩ、12V N 沟道 FemtoFETMOSFET 经过了设计和优化，能够最大限度减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的同时大幅减小封装尺寸。 . . RθJA = 90°C/W，这是一块厚度为 0.06 英寸 (1.52mm) 的环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 (6.45cm2)，2 盎司 （厚度 0.071mm）铜焊盘上测得的典型值（覆铜面积最大时的典型值）。RθJA = 255°C/W（覆铜面积最小时的典型值）。脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。 • 低导通电阻\n• 高运行漏极电流\n• 0.73mm x 0.64mm\n• 薄型 \n• 集成静电放电 (ESD) 保护二极管 \n• 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)\n• 无铅且无卤素\n• 符合 RoHS 环保标准;

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