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CSD13381F4	文件：572.36 Kbytes Page：9 Pages	CSD13381F4, 12 V N-Channel FemtoFET MOSFET 文件：572.36 Kbytes 页数：9 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13381F4	文件：565.72 Kbytes Page：9 Pages	12 V, N-Channel FemtoFET??MOSFET 文件：565.72 Kbytes 页数：9 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13381F4	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、180mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 此 140mΩ，12V N 通道 FemtoFET MOSFET 技术被设计且被优化，以最大限度地减少很多手持式和移动类应用中的封装尺寸。这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时，替代标准的小信号 MOSFET。 • 低导通电阻\n• 低阈值电压\n• 1.0mm × 0.6mm\n• 超薄 \n• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管 \n• 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)\n• 无铅且无卤素\n• 符合 RoHS 环保标准;	TI 德州仪器	TI
CSD13381F4T	文件：565.72 Kbytes Page：9 Pages	12 V, N-Channel FemtoFET??MOSFET 文件：565.72 Kbytes 页数：9 Pages	TI 德州仪器	TI

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更多CSD13381F4供应商更新时间2025-10-4 16:36:00