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CSD13381F4中文资料采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、180mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD13381F4规格书详情
描述 Description
此 140mΩ，12V N 通道 FemtoFET MOSFET 技术被设计且被优化，以最大限度地减少很多手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时，替代标准的小信号 MOSFET。
特性 Features
• 低导通电阻
• 低阈值电压
• 1.0mm × 0.6mm
• 超薄
• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
• 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准
应用 Application
针对负载开关应用进行了优化
针对通用开关应用进行了优化
单节电池应用
手持式和移动类应用
技术参数
- 制造商编号
：CSD13381F4
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：180
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：7
- QG typ (nC)
：1.06
- QGD typ (nC)
：0.14
- Package (mm)
：LGA 1.0x0.6mm
- VGS (V)
：8
- VGSTH typ (V)
：0.85
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：2.1
- ID - package limited (A)
：2.1
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
22+ |
PICOSTAR-3 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
TI |
24+ |
PICOSTAR|3 |
55200 |
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询价 | ||
TI |
25+ |
XFDFN-3@1 |
6000 |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
24+ |
UFBGA6 |
8950 |
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询价 | ||
TI |
23+ |
SOP |
10000 |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
21+ |
XFDFN3 |
100000 |
原盘原标 公司现货/支持实单 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
2407+ |
LGA-3 |
30098 |
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询价 | ||
TI |
23+ |
XFDFN3 |
3000 |
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号 |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
24+ |
PICOSTAR-3 |
8048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
TI |
2025+ |
PicoStar-3 |
16000 |
原装优势绝对有货 |
询价 |
