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CSD13306W数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD13306W

功能描述

采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、10.2mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-19 13:28:00

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CSD13306W规格书详情

描述 Description

这款 8.8mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5 mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

特性 Features

• 超低导通电阻
• 低 Qg 和 Qgd
• 1mm x 1.5mm 小尺寸封装
• 低高度(高度为 0.62mm)
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素

应用 Application

电池管理
负载开关
电池保护

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD13306W

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :10.2

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :44

  • QG typ (nC)

    :8.6

  • QGD typ (nC)

    :3

  • Package (mm)

    :WLP 1.0x1.5

  • VGS (V)

    :10

  • VGSTH typ (V)

    :1

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :3.5

  • ID - package limited (A)

    :3.5

  • Logic level

    :Yes

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