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CSD13306W	文件：672.35 Kbytes Page：11 Pages	丝印：13306；Package：DSBGA；CSD13306W 12 V N Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra Low on Resistance • Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 × 1.5 mm • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 8.8 mΩ, 12 V, N-Channel device is de 文件：672.35 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13306W	文件：616.7 Kbytes Page：12 Pages	CSD13306W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET 文件：616.7 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13306W.B	文件：672.35 Kbytes Page：11 Pages	丝印：13306；Package：DSBGA；CSD13306W 12 V N Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra Low on Resistance • Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 × 1.5 mm • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 8.8 mΩ, 12 V, N-Channel device is de 文件：672.35 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13306WT	文件：672.35 Kbytes Page：11 Pages	丝印：13306；Package：DSBGA；CSD13306W 12 V N Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra Low on Resistance • Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 × 1.5 mm • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 8.8 mΩ, 12 V, N-Channel device is de 文件：672.35 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13306WT.B	文件：672.35 Kbytes Page：11 Pages	丝印：13306；Package：DSBGA；CSD13306W 12 V N Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra Low on Resistance • Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 × 1.5 mm • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 8.8 mΩ, 12 V, N-Channel device is de 文件：672.35 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13306W_15	文件：1.26117 Mbytes Page：17 Pages	CSD13306W 12 V N Channel NexFETv Power MOSFET 文件：1.26117 Mbytes 页数：17 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13306WT	文件：616.7 Kbytes Page：12 Pages	CSD13306W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET 文件：616.7 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13306W	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、10.2mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 8.8mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5 mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。 • 超低导通电阻 \n• 1mm x 1.5mm 小尺寸封装\n• 无铅\n• 无卤素;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
10.2
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
44
QG typ (nC)：
8.6
QGD typ (nC)：
3
Package (mm)：
WLP 1.0x1.5
VGS (V)：
10
VGSTH typ (V)：
1
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
3.5
ID - package limited (A)：
3.5
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CSD13306W供应商更新时间2025-10-4 16:20:00

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