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CSD13202Q2中文资料采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、9.3mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD13202Q2规格书详情
描述 Description
此 12V、7.5mΩ NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换和负载管理 应用中的损耗。该 SON 2 × 2 封装尺寸可提供出色的热性能。
特性 Features
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩级
• 无铅引脚镀层
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装
应用 Application
针对负载开关应用进行了优化
存储、平板电脑和手持类器件
针对控制场效应晶体管(FET)应用进行了优化
负载点同步降压转换器
技术参数
- 制造商编号
:CSD13202Q2
- 生产厂家
:TI
- Configuration
:Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
:9.3
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
:76
- QG typ (nC)
:5.1
- QGD typ (nC)
:0.76
- Package (mm)
:SON2x2
- VGS (V)
:8
- VGSTH typ (V)
:0.8
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
:14.4
- ID - package limited (A)
:22
- Logic level
:Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
24+ |
WSON6 |
16048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
CCSEMI |
23+ |
DFN2X2-6 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
25+ |
原装 |
32000 |
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询价 | ||
TI(德州仪器) |
24+ |
N/A |
6000 |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
TI |
23+ |
WSON6 |
6520 |
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询价 | ||
TI |
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WSON6 |
30000 |
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询价 | ||
TI(德州仪器) |
2526+ |
WSON-6 |
50000 |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
22+ |
WSON6 |
18000 |
保证原装正品 深圳现货 |
询价 | ||
TI |
24+ |
N/A |
10000 |
只做原装,实单最低价支持 |
询价 |


