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CSD13202Q2数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD13202Q2

功能描述

采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、9.3mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-19 18:31:00

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CSD13202Q2规格书详情

描述 Description

此 12V、7.5mΩ NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换和负载管理 应用中的损耗。该 SON 2 × 2 封装尺寸可提供出色的热性能。

特性 Features

• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩级
• 无铅引脚镀层
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装

应用 Application

针对负载开关应用进行了优化
存储、平板电脑和手持类器件
针对控制场效应晶体管(FET)应用进行了优化
负载点同步降压转换器

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD13202Q2

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :9.3

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :76

  • QG typ (nC)

    :5.1

  • QGD typ (nC)

    :0.76

  • Package (mm)

    :SON2x2

  • VGS (V)

    :8

  • VGSTH typ (V)

    :0.8

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :14.4

  • ID - package limited (A)

    :22

  • Logic level

    :Yes

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