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CSD13202Q2中文资料采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、9.3mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD13202Q2规格书详情
描述 Description
此 12V、7.5mΩ NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换和负载管理 应用中的损耗。该 SON 2 × 2 封装尺寸可提供出色的热性能。
特性 Features
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩级
• 无铅引脚镀层
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装
应用 Application
针对负载开关应用进行了优化
存储、平板电脑和手持类器件
针对控制场效应晶体管(FET)应用进行了优化
负载点同步降压转换器
技术参数
- 制造商编号
：CSD13202Q2
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：9.3
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：76
- QG typ (nC)
：5.1
- QGD typ (nC)
：0.76
- Package (mm)
：SON2x2
- VGS (V)
：8
- VGSTH typ (V)
：0.8
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：14.4
- ID - package limited (A)
：22
- Logic level
：Yes
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