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CSD16325Q5	文件：750 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16325；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET Power MOSFETs 1 Features • Optimized for 5 V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing 文件：750 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16325Q5	文件：242.38 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：242.38 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16325Q5	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications. • Optimized for 5V Gate Drive\n• Low Thermal Resistance\n• Pb Free Terminal Plating\n• Halogen Free\n• APPLICATIONS \n• Optimized for Synchronous FET Applications\n \n NexFET is a trademark of Texas Instruments.;	TI 德州仪器	TI
CSD16325Q5.B	文件：750 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16325；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET Power MOSFETs 1 Features • Optimized for 5 V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing 文件：750 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16325Q5_10	文件：445.15 Kbytes Page：12 Pages	The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications. 文件：445.15 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16325Q5C	文件：212.14 Kbytes Page：10 Pages	DualCool??N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：212.14 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16325Q5C	文件：300 bytes Page：1 Pages	DualCool N 通道 NexFET 功率 MOSFET The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.\n ·DualCool™ Package SON 5×6mm\n ·Optimized for 2-Sided Cooling\n ·Optimized for 5V Gate Drive\n ·Ultralow Qg and Qgd\n ·Low Thermal Resistance\n ·Avalanche Rated\n ·Pb Free Terminal Plating\n ·RoHS Compliant and Halogen Free\n ·APPLICATIONS ·Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and C;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
2.2
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
200
QG typ (nC)：
18
QGD typ (nC)：
3.5
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
10
VGSTH typ (V)：
1.1
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
33
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
Yes

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深圳市亚泰盈科电子有限公司	CSD16325Q5	TI		VSON8	56371	提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	CSD16325Q5	TI/德州仪器	25+	QFN	32360	TI/德州仪器全新特价CSD16325Q5即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	CSD16325Q5	TI	2021+	VSON8	6800	原厂原装,欢迎咨询	询价
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深圳市高捷芯城科技有限公司	CSD16325Q5	TI(德州仪器)	24+	VSON-CLIP-8(6x5)	9555	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价

更多CSD16325Q5供应商更新时间2025-10-4 14:02:00

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