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CSD16325Q5	文件：750 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16325；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET Power MOSFETs 1 Features • Optimized for 5 V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing 文件：750 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16325Q5.B	文件：750 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16325；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET Power MOSFETs 1 Features • Optimized for 5 V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing 文件：750 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
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CSD16325Q5	文件：242.38 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：242.38 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16325Q5_10	文件：445.15 Kbytes Page：12 Pages	The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications. 文件：445.15 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16325Q5C	文件：212.14 Kbytes Page：10 Pages	DualCool??N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：212.14 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI

详细参数

型号：
CSD16325
功能描述：
MOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多CSD16325供应商更新时间2025-9-21 14:01:00

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