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CSD17302Q5A	文件：415.35 Kbytes Page：10 Pages	Marking：CSD17302；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES 2•Optimizedfor5VGateDrive •UltralowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5-mm×6-mmPlasticPackage APPLICATIONS •NotebookPointofLoad •Point-of-LoadSynchronousBuckin Networking,	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
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CSD17302Q5A

文件：415.35 Kbytes

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Marking：CSD17302；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

1FEATURES 2•Optimizedfor5VGateDrive •UltralowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5-mm×6-mmPlasticPackage APPLICATIONS •NotebookPointofLoad •Point-of-LoadSynchronousBuckin Networking,

TI2Texas Instruments

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TI2

CSD17302Q5A.B

文件：415.35 Kbytes

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Marking：CSD17302；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI2

详细参数

型号：
CSD17302
功能描述：
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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