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CSD17304Q3	文件：427.98 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17304；Package：VSON-CLIP；30V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES 2• Optimized for 5V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point of Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Network 文件：427.98 Kbytes 页数：10 Pages	TI2 德州仪器	TI2
CSD17304Q3.B	文件：427.98 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17304；Package：VSON-CLIP；30V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES 2• Optimized for 5V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point of Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Network 文件：427.98 Kbytes 页数：10 Pages	TI2 德州仪器	TI2
CSD17304Q3	文件：427.98 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17304；Package：VSON-CLIP；30V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES 2• Optimized for 5V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point of Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Network 文件：427.98 Kbytes 页数：10 Pages	TI2 德州仪器	TI2
CSD17304Q3.B	文件：427.98 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17304；Package：VSON-CLIP；30V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES 2• Optimized for 5V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point of Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Network 文件：427.98 Kbytes 页数：10 Pages	TI2 德州仪器	TI2
CSD17304Q3	文件：373.91 Kbytes Page：10 Pages	30V N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：373.91 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17304Q3_10	文件：532.3 Kbytes Page：11 Pages	The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications. 文件：532.3 Kbytes 页数：11 Pages	TI1 德州仪器	TI1

详细参数

型号：
CSD17304
功能描述：
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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