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CSD17559Q5	文件：470.49 Kbytes Page：11 Pages	Marking：CSD17559；Package：VSON-CLIP；CSD17559Q5 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1Features 1•ExtremelyLowResistance •Ultra-LowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5mm×6mmPlasticPackage 2Applications •PointofLoadSynchronousBuckinNetworking, Telecom,andComputingS	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
CSD17559Q5.B	文件：470.49 Kbytes Page：11 Pages	Marking：CSD17559；Package：VSON-CLIP；CSD17559Q5 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1Features 1•ExtremelyLowResistance •Ultra-LowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5mm×6mmPlasticPackage 2Applications •PointofLoadSynchronousBuckinNetworking, Telecom,andComputingS	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
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详细参数

型号：
CSD17559
功能描述：
MOSFET 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多CSD17559供应商更新时间2025-6-25 10:06:00

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