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CSD17559Q5	文件：470.49 Kbytes Page：11 Pages	丝印：CSD17559；Package：VSON-CLIP；CSD17559Q5 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Extremely Low Resistance • Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • Point of Load Synchronous Buck in Networking, Telecom, and Computing S 文件：470.49 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17559Q5	文件：414.85 Kbytes Page：12 Pages	30V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：414.85 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17559Q5	文件：826.57 Kbytes Page：10 Pages	30V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：826.57 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17559Q5	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 30V，0.95mΩ，5mm × 6mm SON 封装 NexFET 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。顶视图要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸 (1.52 mm) 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 (6.45 cm2)，2 盎司（厚度为 0.071 mm）的铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 1.2°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1% • 极低电阻\n• 超低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩级\n• 无铅端子镀层\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装;	TI 德州仪器	TI
CSD17559Q5.B	文件：470.49 Kbytes Page：11 Pages	丝印：CSD17559；Package：VSON-CLIP；CSD17559Q5 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Extremely Low Resistance • Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • Point of Load Synchronous Buck in Networking, Telecom, and Computing S 文件：470.49 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17559Q5T	文件：470.49 Kbytes Page：11 Pages	丝印：CSD17559；Package：VSON-CLIP；CSD17559Q5 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Extremely Low Resistance • Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • Point of Load Synchronous Buck in Networking, Telecom, and Computing S 文件：470.49 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17559Q5T.B	文件：470.49 Kbytes Page：11 Pages	丝印：CSD17559；Package：VSON-CLIP；CSD17559Q5 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Extremely Low Resistance • Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • Point of Load Synchronous Buck in Networking, Telecom, and Computing S 文件：470.49 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17559Q5_16	文件：414.85 Kbytes Page：12 Pages	30V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：414.85 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17559Q5T	文件：414.85 Kbytes Page：12 Pages	30V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：414.85 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
1.5
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
1.15
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
400
QG typ (nC)：
39
QGD typ (nC)：
9.3
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
1.4
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
257
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市讯顺达科技有限公司	CSD17559Q5	TI	21+	VSONP-8	2500	全新原装公司现货	询价
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更多CSD17559Q5供应商更新时间2025-10-6 10:06:00

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