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厂商型号

CSD17559Q5

功能描述

CSD17559Q5 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

丝印标识

CSD17559

封装外壳

VSON-CLIP

文件大小

470.49 Kbytes

页面数量

11

生产厂商

TI

中文名称

德州仪器

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-4 23:00:00

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CSD17559Q5规格书详情

1 Features

1• Extremely Low Resistance

• Ultra-Low Qg and Qgd

• Low Thermal Resistance

• Avalanche Rated

• Pb Free Terminal Plating

• RoHS Compliant

• Halogen Free

• SON 5 mm × 6 mm Plastic Package

2 Applications

• Point of Load Synchronous Buck in Networking,

Telecom, and Computing Systems

• Synchronous Rectification

• Active ORing and Hotswap Applications

3 Description

This 30 V, 0.95 mΩ, 5 × 6 mm SON NexFET™ power

MOSFET is designed to minimize losses in

synchronous rectification and other power conversion

applications.

产品属性

  • 型号:

    CSD17559Q5

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI/德州仪器
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