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CSD17551Q5A	文件：773.89 Kbytes Page：9 Pages	Marking：CSD17551；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES •UltraLowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5-mm×6-mmPlasticPackage APPLICATIONS •PointofloadSynchronousBuckin Networking,TelecomandComputingSystems •OptimizedforControlF	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
CSD17551Q5A.B	文件：773.89 Kbytes Page：9 Pages	Marking：CSD17551；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES •UltraLowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5-mm×6-mmPlasticPackage APPLICATIONS •PointofloadSynchronousBuckin Networking,TelecomandComputingSystems •OptimizedforControlF	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2

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CSD17551Q5A

文件：773.89 Kbytes

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Marking：CSD17551；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

1FEATURES •UltraLowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5-mm×6-mmPlasticPackage APPLICATIONS •PointofloadSynchronousBuckin Networking,TelecomandComputingSystems •OptimizedforControlF

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI2

CSD17551Q5A.B

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Marking：CSD17551；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI2

详细参数

型号：
CSD17551
功能描述：
MOSFET 30V N-Chnl MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CSD17551供应商更新时间2025-7-27 11:10:00

详细参数

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