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CSD17306Q5A	文件：415.82 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17306；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs FEATURES • Optimized for 5V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point of Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, T 文件：415.82 Kbytes 页数：10 Pages	TI2 德州仪器	TI2
CSD17306Q5A.B	文件：415.82 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17306；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs FEATURES • Optimized for 5V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point of Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, T 文件：415.82 Kbytes 页数：10 Pages	TI2 德州仪器	TI2
CSD17306Q5A	文件：415.82 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17306；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs FEATURES • Optimized for 5V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point of Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, T 文件：415.82 Kbytes 页数：10 Pages	TI2 德州仪器	TI2
CSD17306Q5A.B	文件：415.82 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17306；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs FEATURES • Optimized for 5V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point of Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, T 文件：415.82 Kbytes 页数：10 Pages	TI2 德州仪器	TI2
CSD17306Q5A	文件：358.28 Kbytes Page：10 Pages	30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：358.28 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17306Q5A	文件：4.23872 Mbytes Page：35 Pages	Single-Phase, D-CAP and D-CAP2 Controller with 2-Bit Flexible VID Control 文件：4.23872 Mbytes 页数：35 Pages	TI1 德州仪器	TI1

详细参数

型号：
CSD17306
功能描述：
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多CSD17306供应商更新时间2025-8-10 14:14:00

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