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CSD17510Q5A	文件：860.66 Kbytes Page：16 Pages	丝印：CSD17510；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features • Ultralow Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Pb free terminal plating • RoHS compliant • Halogen Free • SON 5mm × 6mm plastic package 2 Applications • Point-of-load synchronous buck in networking, telecom, and computing systems • Optimized for control 文件：860.66 Kbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17510Q5A.B	文件：860.66 Kbytes Page：16 Pages	丝印：CSD17510；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features • Ultralow Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Pb free terminal plating • RoHS compliant • Halogen Free • SON 5mm × 6mm plastic package 2 Applications • Point-of-load synchronous buck in networking, telecom, and computing systems • Optimized for control 文件：860.66 Kbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
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详细参数

型号：
CSD17510
功能描述：
MOSFET 30V NChannel Lo Side NexFET Pwr MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多CSD17510供应商更新时间2025-9-20 14:01:00

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