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CSD17510Q5A	文件：860.66 Kbytes Page：16 Pages	丝印：CSD17510；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features • Ultralow Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Pb free terminal plating • RoHS compliant • Halogen Free • SON 5mm × 6mm plastic package 2 Applications • Point-of-load synchronous buck in networking, telecom, and computing systems • Optimized for control 文件：860.66 Kbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17510Q5A	文件：343.98 Kbytes Page：10 Pages	30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：343.98 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17510Q5A.B	文件：860.66 Kbytes Page：16 Pages	丝印：CSD17510；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features • Ultralow Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Pb free terminal plating • RoHS compliant • Halogen Free • SON 5mm × 6mm plastic package 2 Applications • Point-of-load synchronous buck in networking, telecom, and computing systems • Optimized for control 文件：860.66 Kbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17510Q5A_10	文件：343.98 Kbytes Page：10 Pages	30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：343.98 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17510Q5A	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications. • Ultralow Qg and Qgd\n• Low Thermal Resistance\n• Avalanche Rated\n• Pb Free Terminal Plating\n• RoHS Compliant\n• Halogen Free\n• SON 5-mm × 6-mm Plastic Package;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
7.3
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
5.2
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
129
QG typ (nC)：
6.4
QGD typ (nC)：
1.9
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
1.5
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
55
ID - package limited (A)：
55
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海皇华信息科技有限公司	CSD17510Q5A	Texas Instruments	2137	NA	2500	自营现货,只做正品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	CSD17510Q5A	TI(德州仪器)	24+	VSONP-8	9555	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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更多CSD17510Q5A供应商更新时间2025-10-8 14:01:00

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