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CSD17510Q5A中文资料采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD17510Q5A规格书详情
描述 Description
The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.
特性 Features
• Ultralow Qg and Qgd
• Low Thermal Resistance
• Avalanche Rated
• Pb Free Terminal Plating
• RoHS Compliant
• Halogen Free
• SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
技术参数
- 制造商编号
：CSD17510Q5A
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：7.3
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：5.2
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：129
- QG typ (nC)
：6.4
- QGD typ (nC)
：1.9
- Package (mm)
：SON5x6
- VGS (V)
：20
- VGSTH typ (V)
：1.5
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：55
- ID - package limited (A)
：55
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
24+ |
NA/ |
2000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
TI |
25+ |
DFN56 |
6162 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
25+ |
SON |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
21+ |
QFN |
1574 |
询价 | |||
TI/德州仪器 |
24+ |
SON |
7850 |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
新年份 |
DFN5*6 |
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询价 | ||
TI |
23+ |
NA |
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询价 | ||
TI |
23+ |
NA |
20000 |
询价 | |||
TI/德州仪器 |
24+ |
SON8 |
30000 |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
25+ |
SON8 |
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明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 |
