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CSD17381F4中文资料采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、117mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD17381F4规格书详情
描述 Description
这款 90mΩ，30V N 通道 FemtoFET™MOSFET 技术经过了设计和优化，能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小 60% 以上。
特性 Features
• 超低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低阈值电压
• 超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸）
• 1.0mm × 0.6mm
• 超薄
• 高度 0.35mm
• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
• 额定值 > 4kV 人体放电模型 (HBM)
• 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 标准
应用 Application
针对负载开关应用进行了优化
针对通用开关应用进行了优化
单节电池应用
手持式和移动类应用
技术参数
- 制造商编号
：CSD17381F4
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：117
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：109
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：10
- QG typ (nC)
：1.04
- QGD typ (nC)
：0.133
- Package (mm)
：LGA 1.0x0.6mm
- VGS (V)
：12
- VGSTH typ (V)
：0.85
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：3.1
- ID - package limited (A)
：3.1
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
24+ |
LGA |
52048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
24+ |
NA/ |
4600 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
TI |
2016+ |
PICOSTAR3 |
9000 |
主营TI,绝对原装,假一赔十,可开17%增值税发票! |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
24+ |
NA |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
询价 | ||
TI |
25+ |
BGA |
1467 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
24+ |
DFN |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
2024+ |
3-PICOSTAR |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
TI |
24+ |
PICOSTAR|3 |
798400 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
21+ |
NA |
5000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 |
