首页>CSD17381F4>规格书详情

CSD17381F4数据手册TI中文资料规格书

PDF无图
厂商型号

CSD17381F4

功能描述

采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、117mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-18 20:03:00

人工找货

CSD17381F4价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

CSD17381F4规格书详情

描述 Description

这款 90mΩ,30V N 通道 FemtoFET™MOSFET 技术经过了设计和优化,能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小 60% 以上。

特性 Features

• 超低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低阈值电压
• 超小型封装尺寸(0402 外壳尺寸)
• 1.0mm × 0.6mm

• 超薄
• 高度 0.35mm

• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
• 额定值 > 4kV 人体放电模型 (HBM)
• 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)

• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 标准

应用 Application

针对负载开关应用进行了优化
针对通用开关应用进行了优化
单节电池应用
手持式和移动类应用

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD17381F4

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :117

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :109

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :10

  • QG typ (nC)

    :1.04

  • QGD typ (nC)

    :0.133

  • Package (mm)

    :LGA 1.0x0.6mm

  • VGS (V)

    :12

  • VGSTH typ (V)

    :0.85

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :3.1

  • ID - package limited (A)

    :3.1

  • Logic level

    :Yes

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
15+
DFN
9000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
TI/德州仪器
24+
NA/
4600
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
TI
25+
BGA
1467
原装正品,假一罚十!
询价
TI
22+
QFN
8096
仓库现货,终端可送样品
询价
TI/德州仪器
24+
DFN
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
TI(德州仪器)
2024+
3-PICOSTAR
500000
诚信服务,绝对原装原盘
询价
TI
20+
NA
53650
TI原装主营-可开原型号增税票
询价
TI/德州仪器
23+
SOT-883
50000
原装正品 支持实单
询价
TI/德州仪器
25+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
询价
TI
24+
PICOSTAR-3
8000
原装,正品
询价