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CSD17318Q2中文资料采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD17318Q2

功能描述

采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 22:59:00

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CSD17318Q2规格书详情

描述 Description

这款采用 2mm × 2mm SON 封装的 30V、12.6mΩ NexFET™功率 MOSFET 的设计被用来降低功率转换中的损耗, 并优化 5V 栅极驱动器。 2mm x 2mm SON 针对封装尺寸提供了出色的散热性能。

特性 Features

• 针对 5V 栅极驱动器进行优化
• 低电容和电荷
• 低 RDS(ON)
• 低热阻
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD17318Q2

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :16.9

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :68

  • QG typ (nC)

    :6

  • QGD typ (nC)

    :1.3

  • Package (mm)

    :SON2x2

  • VGS (V)

    :10

  • VGSTH typ (V)

    :0.9

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :25

  • ID - package limited (A)

    :22

  • Logic level

    :Yes

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