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CSD17313Q2Q1数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD17313Q2Q1

功能描述

Automotive 30-V N channel NexFET™ power MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-18 20:03:00

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CSD17313Q2Q1规格书详情

描述 Description

该 30V、24mΩ、2mm x 2mm SON NexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的 并针对 5V 栅极驱动器应用进行了优化 应用中, 2mm x 2mm SON 针对封装尺寸提供了出色的散热性能。

特性 Features

• 符合汽车应用 应用
• 针对 5V 栅极驱动器进行了优化
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装

技术参数

  • 型号:

    CSD17313Q2Q1

  • 功能描述:

    MOSFET Auto 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
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