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CSD17308Q3中文资料采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、11.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD17308Q3

功能描述

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、11.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器

数据手册

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更新时间

2025-12-15 17:06:00

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CSD17308Q3规格书详情

描述 Description

此 30V、8.2mΩ、3.3mm × 3.3mm VSON NexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换 应用 中的损耗并针对 5V 栅极驱动器 应用进行了优化。

特性 Features

• 针对 5V 栅极驱动器进行了优化
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩级
• 无铅端子镀层
• 符合 RoHS
• 无卤素
• VSON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD17308Q3

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :11.8

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :78

  • QG typ (nC)

    :3.9

  • QGD typ (nC)

    :0.8

  • Package (mm)

    :SON3x3

  • VGS (V)

    :10

  • VGSTH typ (V)

    :1.3

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :50

  • ID - package limited (A)

    :50

  • Logic level

    :Yes

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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