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CSD16408Q5中文资料采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD16408Q5规格书详情
描述 Description
The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.
特性 Features
• Ultralow Qg and Qgd
• Avalanche Rated
• APPLICATIONS
• Optimized for Control FET Applications
NexFET is a trademark of Texas Instruments.
技术参数
- 制造商编号
:CSD16408Q5
- 生产厂家
:TI
- Configuration
:Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
:6.8
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
:4.5
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
:141
- QG typ (nC)
:6.7
- QGD typ (nC)
:1.9
- Package (mm)
:SON5x6
- VGS (V)
:16
- VGSTH typ (V)
:1.8
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
:113
- ID - package limited (A)
:100
- Logic level
:Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
25+23+ |
SON |
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TI |
23+ |
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TI |
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TI |
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25+ |
SON8 |
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TI |
25+ |
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TI(德州仪器) |
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