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CSD16325Q5中文资料采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD16325Q5规格书详情
描述 Description
The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.
特性 Features
• Optimized for 5V Gate Drive
• Low Thermal Resistance
• Pb Free Terminal Plating
• Halogen Free
• APPLICATIONS
• Optimized for Synchronous FET Applications
NexFET is a trademark of Texas Instruments.
技术参数
- 制造商编号
：CSD16325Q5
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：2.2
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：200
- QG typ (nC)
：18
- QGD typ (nC)
：3.5
- Package (mm)
：SON5x6
- VGS (V)
：10
- VGSTH typ (V)
：1.1
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：33
- ID - package limited (A)
：100
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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