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CSD13385F5数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD13385F5

功能描述

采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-19 13:28:00

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CSD13385F5规格书详情

描述 Description

这种 12V、15mΩ、N 沟道 FemtoFET™MOSFET 技术经过了设计和优化,能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

特性 Features

• 低导通电阻
• 低 Qg 和 Qgd
• 超小尺寸
• 1.53mm x 0.77mm

• 薄型
• 高度为 0.35mm

• 集成静电放电 (ESD) 保护二极管
• 额定值 > 4kV 人体模型 (HBM)
• 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)

• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD13385F5

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :19

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :41

  • QG typ (nC)

    :3.9

  • QGD typ (nC)

    :0.39

  • Package (mm)

    :LGA 1.5x0.8mm

  • VGS (V)

    :8

  • VGSTH typ (V)

    :0.8

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :7.1

  • ID - package limited (A)

    :7.1

  • Logic level

    :Yes

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