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CSD13385F5规格书详情
描述 Description
这种 12V、15mΩ、N 沟道 FemtoFET™MOSFET 技术经过了设计和优化,能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
特性 Features
• 低导通电阻
• 低 Qg 和 Qgd
• 超小尺寸
• 1.53mm x 0.77mm
• 薄型
• 高度为 0.35mm
• 集成静电放电 (ESD) 保护二极管
• 额定值 > 4kV 人体模型 (HBM)
• 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准
技术参数
- 制造商编号
:CSD13385F5
- 生产厂家
:TI
- Configuration
:Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
:19
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
:41
- QG typ (nC)
:3.9
- QGD typ (nC)
:0.39
- Package (mm)
:LGA 1.5x0.8mm
- VGS (V)
:8
- VGSTH typ (V)
:0.8
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
:7.1
- ID - package limited (A)
:7.1
- Logic level
:Yes
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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PICOSTAR-3 |
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