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CSD13385F5	文件：1.23074 Mbytes Page：16 Pages	丝印：4V；Package：PICOSTAR；CSD13385F5 12-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on resistance • Low Qg and Qgd • Ultra-small footprint – 1.53 mm × 0.77 mm • Low profile – 0.36-mm height • Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimized for industrial load 文件：1.23074 Mbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13385F5	文件：947.86 Kbytes Page：14 Pages	12-V N-Channel FemtoFET MOSFET 文件：947.86 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13385F5	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这种 12V、15mΩ、N 沟道 FemtoFET™MOSFET 技术经过了设计和优化，能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。 • 低导通电阻\n• 低 Qg 和 Qgd\n• 超小尺寸 \n• 1.53mm x 0.77mm\n \n• 薄型 \n• 高度为 0.35mm\n \n• 集成静电放电 (ESD) 保护二极管 \n• 额定值 > 4kV 人体模型 (HBM) \n• 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)\n \n• 无铅且无卤素\n• 符合 RoHS 环保标准;	TI 德州仪器	TI
CSD13385F5.B	文件：1.23074 Mbytes Page：16 Pages	CSD13385F5 12-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on resistance • Low Qg and Qgd • Ultra-small footprint – 1.53 mm × 0.77 mm • Low profile – 0.36-mm height • Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimized for industrial load 文件：1.23074 Mbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13385F5.Z	文件：1.23074 Mbytes Page：16 Pages	丝印：4V；Package：PICOSTAR；CSD13385F5 12-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on resistance • Low Qg and Qgd • Ultra-small footprint – 1.53 mm × 0.77 mm • Low profile – 0.36-mm height • Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimized for industrial load 文件：1.23074 Mbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13385F5T	文件：1.23074 Mbytes Page：16 Pages	丝印：4V；Package：PICOSTAR；CSD13385F5 12-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on resistance • Low Qg and Qgd • Ultra-small footprint – 1.53 mm × 0.77 mm • Low profile – 0.36-mm height • Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimized for industrial load 文件：1.23074 Mbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13385F5T.B	文件：1.23074 Mbytes Page：16 Pages	CSD13385F5 12-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on resistance • Low Qg and Qgd • Ultra-small footprint – 1.53 mm × 0.77 mm • Low profile – 0.36-mm height • Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimized for industrial load 文件：1.23074 Mbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13385F5T.Z	文件：1.23074 Mbytes Page：16 Pages	丝印：4V；Package：PICOSTAR；CSD13385F5 12-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on resistance • Low Qg and Qgd • Ultra-small footprint – 1.53 mm × 0.77 mm • Low profile – 0.36-mm height • Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimized for industrial load 文件：1.23074 Mbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13385F5T	文件：947.86 Kbytes Page：14 Pages	12-V N-Channel FemtoFET MOSFET 文件：947.86 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
19
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
41
QG typ (nC)：
3.9
QGD typ (nC)：
0.39
Package (mm)：
LGA 1.5x0.8mm
VGS (V)：
8
VGSTH typ (V)：
0.8
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
7.1
ID - package limited (A)：
7.1
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创辉电子科技有限公司	CSD13385F5	TI	23+	(YJK)-3	30000	全新原装正品	询价
深圳市胜彬电子有限公司	CSD13385F5	TI/德州仪器	2038+	SMD	8000	原装正品现货假一罚十	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	CSD13385F5	TI(德州仪器)	24+	PICOSTAR-3	37048	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	CSD13385F5	TI(德州仪器)	24+	PICOSTAR-3	10848	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
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深圳市科恒伟业电子有限公司	CSD13385F5	TI	2450+	SMD	9485	只做原厂原装正品终端客户免费申请样品	询价
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