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CSD15380F3中文资料采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、1460mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD15380F3

功能描述

采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、1460mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器

数据手册

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更新时间

2025-12-17 10:46:00

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CSD15380F3规格书详情

描述 Description

这种 20V、990mΩ、N 沟道 FemtoFET™MOSFET 经过了设计和优化,能够最大限度减小许多手持式和移动类应用的 尺寸中使用的高侧或低侧隔离式栅极驱动器提供参考解决方案。超低电容提高了开关速度。在数据线路 应用中,较低的电容可最大限度减少噪声耦合。这项技术能够在替代标准小信号金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的同时大幅减小封装尺寸。

特性 Features

• 超低 CiSS 和 COSS
• 超低 Qg 和 Qgd
• 超小尺寸
• 0.73mm x 0.64mm

• 超薄
• 最大高度为 0.35mm

• 集成静电放电 (ESD) 保护二极管
• 额定值 > 4kV 人体模型 (HBM)
• 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)

• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD15380F3

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :1460

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :1.6

  • QG typ (nC)

    :0.216

  • QGD typ (nC)

    :0.027

  • Package (mm)

    :LGA 0.7x0.6mm

  • VGS (V)

    :10

  • VGSTH typ (V)

    :1.1

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :0.5

  • ID - package limited (A)

    :0.5

  • Logic level

    :Yes

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