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CSD15380F3数据手册TI中文资料规格书
CSD15380F3规格书详情
描述 Description
这种 20V、990mΩ、N 沟道 FemtoFET™MOSFET 经过了设计和优化,能够最大限度减小许多手持式和移动类应用的 尺寸中使用的高侧或低侧隔离式栅极驱动器提供参考解决方案。超低电容提高了开关速度。在数据线路 应用中,较低的电容可最大限度减少噪声耦合。这项技术能够在替代标准小信号金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的同时大幅减小封装尺寸。
特性 Features
• 超低 CiSS 和 COSS
• 超低 Qg 和 Qgd
• 超小尺寸
• 0.73mm x 0.64mm
• 超薄
• 最大高度为 0.35mm
• 集成静电放电 (ESD) 保护二极管
• 额定值 > 4kV 人体模型 (HBM)
• 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准
技术参数
- 制造商编号
:CSD15380F3
- 生产厂家
:TI
- Configuration
:Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
:1460
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
:1.6
- QG typ (nC)
:0.216
- QGD typ (nC)
:0.027
- Package (mm)
:LGA 0.7x0.6mm
- VGS (V)
:10
- VGSTH typ (V)
:1.1
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
:0.5
- ID - package limited (A)
:0.5
- Logic level
:Yes
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
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3-PICOSTAR |
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TI/德州仪器 |
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50000 |
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TI |
24+ |
PICOSTAR-3 |
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