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CSD13201W10中文资料采用 1mm x 1mm WLP 封装的单路、34mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD13201W10规格书详情
描述 Description
此器件设计用于在 超低高度并具有出色散热特性的 尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通 电阻和栅极电荷。 在 1 in22 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060\" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，RθJA=105°C/W （典型值）。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
特性 Features
• 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
• 小型封装尺寸 1mm x 1mm
• 低高度（高度为 0.62mm）
• 无铅
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 栅 - 源电压钳位
技术参数
- 制造商编号
：CSD13201W10
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：34
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：20.2
- QG typ (nC)
：2.3
- QGD typ (nC)
：0.3
- Package (mm)
：WLP 1.0x1.0
- VGS (V)
：8
- VGSTH typ (V)
：0.8
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：1.6
- ID - package limited (A)
：1.6
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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