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CSD13201W10中文资料采用 1mm x 1mm WLP 封装的单路、34mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD13201W10规格书详情
描述 Description
此器件设计用于在 超低高度并具有出色散热特性的 尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通 电阻和栅极电荷。 在 1 in22 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060\" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，RθJA=105°C/W （典型值）。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
特性 Features
• 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
• 小型封装尺寸 1mm x 1mm
• 低高度（高度为 0.62mm）
• 无铅
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 栅 - 源电压钳位
技术参数
- 制造商编号
：CSD13201W10
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：34
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：20.2
- QG typ (nC)
：2.3
- QGD typ (nC)
：0.3
- Package (mm)
：WLP 1.0x1.0
- VGS (V)
：8
- VGSTH typ (V)
：0.8
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：1.6
- ID - package limited (A)
：1.6
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
23+ |
DSBGA-4 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
26+ |
N/A |
360000 |
只有原装 可配单 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
24+ |
DSBGA-4 |
1006 |
只供应原装正品 欢迎询价 |
询价 | ||
TI |
24+ |
DSBGA-4 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
TI |
24+ |
DSBGA-4 |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
TI |
23+ |
DSBGA-4 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
TI |
25+ |
DSBGA (YZB) |
6000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
TI |
24+ |
DSBGA-4 |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
询价 | ||
TI |
24+ |
DSBGA-4 |
21000 |
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号 |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
25+ |
N/A |
6000 |
原装，请咨询 |
询价 |
