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CSD13201W10数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD13201W10

功能描述

采用 1mm x 1mm WLP 封装的单路、34mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-19 18:31:00

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CSD13201W10规格书详情

描述 Description

此器件设计用于在 超低高度并具有出色散热特性的 尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通 电阻和栅极电荷。 在 1 in22 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060\" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上,RθJA=105°C/W (典型值)。脉宽 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2%

特性 Features

• 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
• 小型封装尺寸 1mm x 1mm
• 低高度(高度为 0.62mm)
• 无铅
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 栅 - 源电压钳位

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD13201W10

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :34

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :20.2

  • QG typ (nC)

    :2.3

  • QGD typ (nC)

    :0.3

  • Package (mm)

    :WLP 1.0x1.0

  • VGS (V)

    :8

  • VGSTH typ (V)

    :0.8

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :1.6

  • ID - package limited (A)

    :1.6

  • Logic level

    :Yes

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