N-Channel NexFET Power MOSFET

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德州仪器

N-Channel NexFET Power MOSFET

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采用 1mm x 1mm WLP 封装的单路、34mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

此器件设计用于在 超低高度并具有出色散热特性的 尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通 电阻和栅极电荷。 在 1 in22 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060\" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，RθJA=105°C/W （典型值）。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2% • 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)\n• 小型封装尺寸 1mm x 1mm\n• 低高度（高度为 0.62mm）\n• 无铅\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• 栅 - 源电压钳位;

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