CSD13302W中文资料采用 1mm x 1mm WLP 封装的单路、17.1mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD13302W规格书详情
描述 Description
这款 14.6mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
特性 Features
• 超低导通电阻
• 低 Qg 和 Qgd
• 1mm x 1mm 小尺寸封装
• 低高度（高度为 0.62mm）
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
应用 Application
电池管理
负载开关
电池保护
技术参数
- 制造商编号
：CSD13302W
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：17.1
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：29
- QG typ (nC)
：6
- QGD typ (nC)
：2.1
- Package (mm)
：WLP 1.0x1.0
- VGS (V)
：10
- VGSTH typ (V)
：1
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：1.6
- ID - package limited (A)
：1.6
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
25+23+ |
DSBGA-4 |
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TI |
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TI |
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