CSD13302W中文资料采用 1mm x 1mm WLP 封装的单路、17.1mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD13302W规格书详情
描述 Description
这款 14.6mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
特性 Features
• 超低导通电阻
• 低 Qg 和 Qgd
• 1mm x 1mm 小尺寸封装
• 低高度（高度为 0.62mm）
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
应用 Application
电池管理
负载开关
电池保护
技术参数
- 制造商编号
：CSD13302W
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：17.1
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：29
- QG typ (nC)
：6
- QGD typ (nC)
：2.1
- Package (mm)
：WLP 1.0x1.0
- VGS (V)
：10
- VGSTH typ (V)
：1
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：1.6
- ID - package limited (A)
：1.6
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
25+ |
N/A |
6000 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
24+ |
DSBGA-4 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
TI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
24+ |
N/A |
62000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
TI/德州仪器 |
23+ |
DSBGA4 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
2022+ |
8000 |
原厂原装,假一罚十 |
询价 | |||
TI |
22+ |
4UFBGA DSBGA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
25+ |
DSBGA-4 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
23+ |
N/A |
6000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 |
