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CSD13302W	文件：548.23 Kbytes Page：11 Pages	丝印：302；Package：DSBGA；CSD13302W 12 V N Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra Low On Resistance • Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 mm × 1 mm • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 14.6 mΩ, 12 V, N-Channel device is 文件：548.23 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13302W	文件：492.58 Kbytes Page：12 Pages	CSD13302W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET 文件：492.58 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13302W.B	文件：548.23 Kbytes Page：11 Pages	丝印：302；Package：DSBGA；CSD13302W 12 V N Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra Low On Resistance • Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 mm × 1 mm • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 14.6 mΩ, 12 V, N-Channel device is 文件：548.23 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13302WT	文件：548.23 Kbytes Page：11 Pages	丝印：302；Package：DSBGA；CSD13302W 12 V N Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra Low On Resistance • Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 mm × 1 mm • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 14.6 mΩ, 12 V, N-Channel device is 文件：548.23 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13302WT.B	文件：548.23 Kbytes Page：11 Pages	丝印：302；Package：DSBGA；CSD13302W 12 V N Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra Low On Resistance • Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 mm × 1 mm • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 14.6 mΩ, 12 V, N-Channel device is 文件：548.23 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13302W_15	文件：1.07609 Mbytes Page：15 Pages	CSD13302W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET 文件：1.07609 Mbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13302W_16	文件：492.58 Kbytes Page：12 Pages	CSD13302W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET 文件：492.58 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13302WT	文件：492.58 Kbytes Page：12 Pages	CSD13302W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET 文件：492.58 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13302W	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 1mm x 1mm WLP 封装的单路、17.1mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 14.6mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。 • 超低导通电阻\n• 低 Qg 和 Qgd\n• 1mm x 1mm 小尺寸封装\n• 低高度（高度为 0.62mm）\n• 无铅\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
17.1
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
29
QG typ (nC)：
6
QGD typ (nC)：
2.1
Package (mm)：
WLP 1.0x1.0
VGS (V)：
10
VGSTH typ (V)：
1
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
1.6
ID - package limited (A)：
1.6
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	CSD13302W		24+	QFP100	6000	美国德州仪器TEXASINSTRUMENTS原厂代理辉华拓展内地现	询价
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