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CSD15380F3 | CSD15380F3 20-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Ultra-low CiSS and COSS • Ultra-low Qg and Qgd • Ultra-small footprint – 0.73 mm × 0.64 mm • Ultra-low profile – 0.36-mm max height • Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimize 文件:1.2433 Mbytes 页数:15 Pages | TI 德州仪器 | TI | |
CSD15380F3 | CSD15380F3 20-V N-Channel FemtoFET??MOSFET 文件:1.08409 Mbytes 页数:14 Pages | TI 德州仪器 | TI | |
CSD15380F3 | 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、1460mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这种 20V、990mΩ、N 沟道 FemtoFET™MOSFET 经过了设计和优化,能够最大限度减小许多手持式和移动类应用的 尺寸中使用的高侧或低侧隔离式栅极驱动器提供参考解决方案。超低电容提高了开关速度。在数据线路 应用中,较低的电容可最大限度减少噪声耦合。这项技术能够在替代标准小信号金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的同时大幅减小封装尺寸。 • 超低 CiSS 和 COSS\n• 超低 Qg 和 Qgd\n• 超小尺寸 \n• 0.73mm x 0.64mm\n \n• 超薄 \n• 最大高度为 0.35mm\n \n• 集成静电放电 (ESD) 保护二极管 \n• 额定值 > 4kV 人体模型 (HBM) \n• 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)\n \n• 无铅且无卤素\n• 符合 RoHS 环保标准; | TI 德州仪器 | TI | |
CSD15380F3 20-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Ultra-low CiSS and COSS • Ultra-low Qg and Qgd • Ultra-small footprint – 0.73 mm × 0.64 mm • Ultra-low profile – 0.36-mm max height • Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimize 文件:1.2433 Mbytes 页数:15 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
CSD15380F3 20-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Ultra-low CiSS and COSS • Ultra-low Qg and Qgd • Ultra-small footprint – 0.73 mm × 0.64 mm • Ultra-low profile – 0.36-mm max height • Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimize 文件:1.2433 Mbytes 页数:15 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
CSD15380F3 20-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Ultra-low CiSS and COSS • Ultra-low Qg and Qgd • Ultra-small footprint – 0.73 mm × 0.64 mm • Ultra-low profile – 0.36-mm max height • Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimize 文件:1.2433 Mbytes 页数:15 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
CSD15380F3 20-V N-Channel FemtoFET??MOSFET 文件:1.08409 Mbytes 页数:14 Pages | TI 德州仪器 | TI |
技术参数
- Configuration:
Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms):
1460
- IDM - pulsed drain current (Max) (A):
1.6
- QG typ (nC):
0.216
- QGD typ (nC):
0.027
- Package (mm):
LGA 0.7x0.6mm
- VGS (V):
10
- VGSTH typ (V):
1.1
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A):
0.5
- ID - package limited (A):
0.5
- Logic level:
Yes
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TI |
21+ |
PICOSTAR-3 |
220000 |
原装正品 深圳现货 |
询价 | ||
TI |
19+ |
PICOSTAR-3 |
5920 |
全新原装公司现货
|
询价 | ||
TI |
24+ |
3-PICOSTAR |
9800 |
原装正品优势供应支持实单 |
询价 | ||
TI |
23+ |
PICOSTAR-3 |
30000 |
全新原装正品 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
22+ |
PICOSTAR-3 |
300000 |
原厂/代理渠道,价格优势自己现货 |
询价 | ||
TI |
24+ |
PICOSTAR-3 |
9000 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
询价 | ||
TI |
23+ |
PICOSTAR-3 |
9000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
22+ |
LGA |
500000 |
原装现货支持实单价优/含税 |
询价 | ||
TI |
23+ |
PICOSTAR-3 |
16800 |
进口原装现货 |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
24+ |
PICOSTAR-3 |
13048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 |
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- PERICOMPI7C8150
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