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CSD16407Q5中文资料采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.3mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD16407Q5

功能描述

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.3mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器

数据手册

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更新时间

2025-12-15 23:01:00

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CSD16407Q5规格书详情

描述 Description

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

特性 Features

• Ultralow Qg and Qgd
• Avalanche Rated
• APPLICATIONS
• Optimized for Synchronous FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD16407Q5

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :3.3

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :2.4

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :200

  • QG typ (nC)

    :13.3

  • QGD typ (nC)

    :3.5

  • Package (mm)

    :SON5x6

  • VGS (V)

    :16

  • VGSTH typ (V)

    :1.6

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :100

  • ID - package limited (A)

    :100

  • Logic level

    :Yes

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