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CSD16342Q5A中文资料采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD16342Q5A规格书详情
描述 Description
此 NexFET 功率 MOSFET 的设计大大减少了功率转换中的损失并针对 5V 栅极应用进行了优化。 在 1 in2 2 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060\" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，RθJA = 40°C/W （典型值）。脉宽 ≤300μs，占空比 ≤2%
特性 Features
• 针对 5V 栅极驱动而优化
• VGS = 2.5V 时的额定电阻值
• 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
• 低热电阻
• 额定雪崩能量
• 无铅端子封装
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 无引线小外形尺寸 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
技术参数
- 制造商编号
：CSD16342Q5A
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：5.5
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：131
- QG typ (nC)
：6.5
- QGD typ (nC)
：1.2
- Package (mm)
：SON5x6
- VGS (V)
：10
- VGSTH typ (V)
：0.85
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：21
- ID - package limited (A)
：100
- Logic level
：Yes
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