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CSD16408Q5	文件：739.49 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16408；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems • Optimized for Control FET Applications 3 Description The NexFET™ power MOSFET h 文件：739.49 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16408Q5	文件：204.28 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：204.28 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16408Q5	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications. • Ultralow Qg and Qgd\n• Avalanche Rated\n• APPLICATIONS \n• Optimized for Control FET Applications\n \n NexFET is a trademark of Texas Instruments.;	TI 德州仪器	TI
CSD16408Q5.B	文件：739.49 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16408；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems • Optimized for Control FET Applications 3 Description The NexFET™ power MOSFET h 文件：739.49 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16408Q5_11	文件：323.07 Kbytes Page：11 Pages	The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications. 文件：323.07 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16408Q5C	文件：177.39 Kbytes Page：10 Pages	DualCool??N-Ch NexFET??Power MOSFET 文件：177.39 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16408Q5C_10	文件：340 Kbytes Page：11 Pages	The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications. 文件：340 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16408Q5C	文件：300 bytes Page：1 Pages	DualCool N 通道 NexFET 功率 MOSFET The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.\n ·Ultra Low Qg and Qgd\n ·DualCool™ Package\n ·Optimized for 2-Sided Cooling\n ·Low Thermal Resistance\n ·Avalanche Rated\n ·Pb Free Terminal Plating\n ·RoHS Compliant\n ·Halogen Free\n ·SON 5-mm × 6-mm Plastic Package\n ·APPLICATIONS ·Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computi;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
6.8
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
4.5
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
141
QG typ (nC)：
6.7
QGD typ (nC)：
1.9
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
16
VGSTH typ (V)：
1.8
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
113
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
Yes

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