CSD17308Q3规格书市场行情德州仪器TI-114ic电子网

首页 >CSD17308Q3>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
CSD17308Q3	文件：551.46 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD17308；Package：VSON-CLIP；CSD17308Q3 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features 1• Optimized for 5-V gate drive • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Lead-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • VSON 3.3 mm × 3.3 mm plastic package 2 Applications • Notebook point of load • Point-of-load synchronous buck in 文件：551.46 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17308Q3	文件：412.33 Kbytes Page：13 Pages	30-V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：412.33 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17308Q3	文件：523.35 Kbytes Page：11 Pages	30V N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：523.35 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17308Q3	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、11.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 此 30V、8.2mΩ、3.3mm × 3.3mm VSON NexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的损耗并针对 5V 栅极驱动器应用进行了优化。 • 针对 5V 栅极驱动器进行了优化\n• 超低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩级\n• 无铅端子镀层\n• 符合 RoHS\n• 无卤素\n• VSON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装;	TI 德州仪器	TI
CSD17308Q3.B	文件：551.46 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD17308；Package：VSON-CLIP；CSD17308Q3 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features 1• Optimized for 5-V gate drive • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Lead-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • VSON 3.3 mm × 3.3 mm plastic package 2 Applications • Notebook point of load • Point-of-load synchronous buck in 文件：551.46 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17308Q3T	文件：551.46 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD17308；Package：VSON-CLIP；CSD17308Q3 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features 1• Optimized for 5-V gate drive • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Lead-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • VSON 3.3 mm × 3.3 mm plastic package 2 Applications • Notebook point of load • Point-of-load synchronous buck in 文件：551.46 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17308Q3T.B	文件：551.46 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD17308；Package：VSON-CLIP；CSD17308Q3 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features 1• Optimized for 5-V gate drive • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Lead-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • VSON 3.3 mm × 3.3 mm plastic package 2 Applications • Notebook point of load • Point-of-load synchronous buck in 文件：551.46 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17308Q3_15	文件：412.33 Kbytes Page：13 Pages	30-V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：412.33 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17308Q3T	文件：412.33 Kbytes Page：13 Pages	30-V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：412.33 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
11.8
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
78
QG typ (nC)：
3.9
QGD typ (nC)：
0.8
Package (mm)：
SON3x3
VGS (V)：
10
VGSTH typ (V)：
1.3
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
50
ID - package limited (A)：
50
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市凌旭科技有限公司	CSD17308Q3	TI	2016+	SON8	10000	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	CSD17308Q3	TI	24+	SON8	5630	TI一级代理原厂授权渠道实单支持	询价
深圳市龙瀚电子有限公司	CSD17308Q3	TI	17+	SON8	2035	TI原装/深圳库存c5	询价
深圳市近平电子有限公司	CSD17308Q3	TI	13+	SON8	6000	原装正品现货	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	CSD17308Q3	TI	25+	QFN	9500	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市讯顺达科技有限公司	CSD17308Q3	TI	21+	SON8	10000	全新原装公司现货	询价
深圳市星佑电子有限公司	CSD17308Q3	TI/德州仪器	21+	VSON-8	10000	全新原装公司现货价优	询价
深圳市毅创辉电子科技有限公司	CSD17308Q3	TI	23+	VSON-CLIP-8	30000	全新原装正品	询价
深圳市胜彬电子有限公司	CSD17308Q3	TI/德州仪器	22+	QFN	9854	原装正品现货假一罚十	询价
深圳市品优时代科技有限公司	CSD17308Q3	TI	2019	SON8	23100	原装正品钻石品质假一赔十	询价

更多CSD17308Q3供应商更新时间2025-10-4 8:31:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号