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CSD17312Q5中文资料采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD17312Q5

功能描述

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 22:59:00

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CSD17312Q5规格书详情

描述 Description

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.

特性 Features

• Optimized for 5V Gate Drive
• Low Thermal Resistance
• Pb Free Terminal Plating
• Halogen Free
• APPLICATIONS
• Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD17312Q5

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :1.7

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :200

  • QG typ (nC)

    :28

  • QGD typ (nC)

    :6

  • Package (mm)

    :SON5x6

  • VGS (V)

    :10

  • VGSTH typ (V)

    :1.1

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :100

  • ID - package limited (A)

    :100

  • Logic level

    :Yes

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