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CSD17309Q3规格书详情
描述 Description
This 30 V, 4.2 mΩ NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5 V gate drive applications.
特性 Features
• Optimized for 5 V Gate Drive
• Ultra-Low Qg and Qgd
• Low Thermal Resistance
• Avalanche Rated
• Pb Free Terminal Plating
• RoHS Compliant
• Halogen Free
• SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package
• APPLICATIONS
• Notebook Point of Load
• Point of Load Synchronous Buck in Networking, Telecom, and Computing Systems
NexFET Is a trademark of Texas Instruments
技术参数
- 制造商编号
：CSD17309Q3
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：6.3
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：112
- QG typ (nC)
：7.5
- QGD typ (nC)
：1.7
- Package (mm)
：SON3x3
- VGS (V)
：10
- VGSTH typ (V)
：1.2
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：60
- ID - package limited (A)
：60
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
15+ |
VSON-8 |
2672 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
TI |
25+ |
8-VSON |
1030 |
原装正品,假一罚十! |
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TI/德州仪器 |
25+ |
DFN |
15620 |
TI/德州仪器全新特价CSD17309Q3即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
25+ |
N/A |
6000 |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
23+ |
NA |
36880 |
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CCSEMI |
23+ |
QFN3X3-8 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
25+ |
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询价 | |||
TI(德州仪器) |
24+ |
N/A |
6000 |
原装，正品 |
询价 | ||
TEXAS INSTRUMENTS |
25+ |
SMD |
918000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
24+ |
VSON-8 |
8540 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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