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CSD17309Q3	文件：472.54 Kbytes Page：13 Pages	Marking：CSD17309；Package：VSON-CLIP；CSD17309Q3 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1Features 1•Optimizedfor5VGateDrive •Ultra-LowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON3.3mm×3.3mmPlasticPackage 2Applications •NotebookPointofLoad •PointofLoadSynchronousBuckinNet	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
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详细参数

型号：
CSD17309Q3
功能描述：
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多CSD17309Q3供应商更新时间2025-7-12 10:38:00

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