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CSD17313Q2Q1	文件：312.93 Kbytes Page：10 Pages	30V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：312.93 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17313Q2Q1	文件：411.77 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：411.77 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17313Q2Q1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Automotive 30-V N channel NexFET™ power MOSFET 该 30V、24mΩ、2mm x 2mm SON NexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的并针对 5V 栅极驱动器应用进行了优化应用中， 2mm x 2mm SON 针对封装尺寸提供了出色的散热性能。 • 符合汽车应用应用\r\n• 针对 5V 栅极驱动器进行了优化\r\n• 超低 Qg 和 Qgd\r\n• 低热阻\r\n• 无铅\r\n• 符合 RoHS 环保标准\r\n• 无卤素\r\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装;	TI 德州仪器	TI
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详细参数

型号：
CSD17313Q2Q1
功能描述：
MOSFET Auto 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多CSD17313Q2Q1供应商更新时间2025-10-5 23:00:00

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