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CSD18531Q5A	文件：433.96 Kbytes Page：13 Pages	Marking：CSD18531；Package：VSONP；CSD18531Q5A 60-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1Features 1•Ultra-LowQgandQgd •Low-ThermalResistance •AvalancheRated •LogicLevel •Lead-FreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5-mm×6-mmPlasticPackage 2Applications •DC-DCConversion •SecondarySideSynchronousRectifier •BatteryMotorControl	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
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CSD18531Q5AT	文件：433.96 Kbytes Page：13 Pages	Marking：CSD18531；Package：VSONP；CSD18531Q5A 60-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1Features 1•Ultra-LowQgandQgd •Low-ThermalResistance •AvalancheRated •LogicLevel •Lead-FreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5-mm×6-mmPlasticPackage 2Applications •DC-DCConversion •SecondarySideSynchronousRectifier •BatteryMotorControl	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
CSD18531Q5AT.B	文件：433.96 Kbytes Page：13 Pages	Marking：CSD18531；Package：VSONP；CSD18531Q5A 60-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1Features 1•Ultra-LowQgandQgd •Low-ThermalResistance •AvalancheRated •LogicLevel •Lead-FreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5-mm×6-mmPlasticPackage 2Applications •DC-DCConversion •SecondarySideSynchronousRectifier •BatteryMotorControl	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
CSD18531Q5A_12	文件：1.23576 Mbytes Page：12 Pages	The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
CSD18531Q5A_16	文件：362.5 Kbytes Page：13 Pages	60V N-Channel NexFET Power MOSFET	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
CSD18531Q5AT	文件：362.5 Kbytes Page：13 Pages	60V N-Channel NexFET Power MOSFET	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
CSD18531Q5A
功能描述：
MOSFET 60V N-Channel NexFET Power MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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