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CSD18503Q5A	文件：435.89 Kbytes Page：12 Pages	Marking：CSD18503；Package：VSONP；CSD18503Q5A 40 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1Features 1•Ultra-LowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •LogicLevel •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5mm×6mmPlasticPackage 2Applications •DC-DCConversion •SecondarySideSynchronousRectifier •BatteryMotorControl	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
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CSD18503Q5AT.B	文件：435.89 Kbytes Page：12 Pages	CSD18503Q5A 40 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1Features 1•Ultra-LowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •LogicLevel •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5mm×6mmPlasticPackage 2Applications •DC-DCConversion •SecondarySideSynchronousRectifier •BatteryMotorControl	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
CSD18503Q5AT.Z	文件：435.89 Kbytes Page：12 Pages	Marking：CSD18503；Package：VSONP；CSD18503Q5A 40 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1Features 1•Ultra-LowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •LogicLevel •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5mm×6mmPlasticPackage 2Applications •DC-DCConversion •SecondarySideSynchronousRectifier •BatteryMotorControl	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
CSD18503Q5A_12	文件：730.76 Kbytes Page：12 Pages	The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
CSD18503Q5A_16	文件：380.25 Kbytes Page：13 Pages	40V N-Channel NexFET Power MOSFET	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
CSD18503Q5A
功能描述：
MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CSD18503Q5A供应商更新时间2025-7-16 11:07:00

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