丝印：CSD18534KCS；Package：TO-220；CSD18534KCS 60V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Logic level • Pb-Free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • TO-220 plastic package 2 Applications • DC-DC conversion • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description Th

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德州仪器

丝印：CSD18534KCS；Package：TO-220；CSD18534KCS 60V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Logic level • Pb-Free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • TO-220 plastic package 2 Applications • DC-DC conversion • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description Th

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 9.5mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

文件：322.26 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：999.52 Kbytes 页数：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

60-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs

文件：843.63 Kbytes 页数：8 Pages

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采用 TO-220 封装的单路、9.5mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款 7.6mΩ，60V TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。 • 超低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩额定值\n• 逻辑电平\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• 晶体管 (TO)-220 塑料封装;

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